비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법

Device for non-volatile memory and method for fabricating thereof

Abstract

단위 셀의 크기가 축소되고 저전압에 의해 소자 동작이 가능한 비휘발성 메모리 소자 및 그 제조 방법이 제공된다. 비휘발성 메모리 소자는 기판 상에 절연되어 형성된 제 1 게이트, 제 1 게이트 상부의 일부 영역과 오버랩되며 절연되어 형성된 제 2 게이트, 제 2 게이트와 오버랩되지 않는 제 1 게이트 상부의 영역 및 상기 제 1 게이트의 일 측벽과 오버랩되며 절연되어 형성되며 제 1 게이트와 제 2 게이트 사이에 존재하는 커플링 커패시턴스가 제 1 게이트와 제 3 게이트 사이에 존재하는 커플링 커패시턴스보다 크도록 형성된 절연막, 기판 내에 형성된 제 1 정션 영역 및 기판 내에 형성된 제 2 정션 영역을 포함한다. 비휘발성 메모리 소자, 커플링 커패시턴스, 제어 게이트

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    US-7800158-B2September 21, 2010Samsung Electronics Co., Ltd.Semiconductor device and method of forming the same