증가된 간섭 저항성을 갖는 자기저항 메모리

Abstract

본 발명은 최적으로 작은 칩 표면 면적을 가지고서 간섭 저항성을 증가시킬 수 있는 자기저항 메모리에 관한 것이다. 간섭 저항성은 워드 라인을 2개의 상보적인 비트 라인 사이에 수직으로 배열하고, 표준 셀의 자기저항 메모리 장치를 비트 라인과 워드 라인 사이에 제공하며, 상보적인 비트 라인과 워드 라인 사이에 상보적인 메모리 셀의 관련 자기저항 층 시스템을 제공함으로써 개선될 수 있다.

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