반도체 소자의 스토리지노드콘택홀 형성 방법

Method for forming storagenode contact hole in semiconductor device

Abstract

본 발명은 포토공정의 패터닝에서 유리한 홀크기를 키운면서도 요구되는 크기의 콘택홀을 형성할 수 있는 반도체 소자의 스토리지노드콘택홀 형성 방법을 제공하기 위한 것으로, 본 발명은 비트라인이 형성된 반도체 기판 상부에 층간절연막을 형성하는 단계, 상기 층간절연막 상부에 하드마스크를 형성하는 단계, 상기 하드마스크 상에 스토리지노드콘택마스크를 형성하는 단계, 상기 스토리지노드콘택마스크를 이용하여 상기 하드마스크를 홀을 갖는 패턴으로 식각하는 단계, 상기 스토리지노드콘택마스크를 제거하는 단계, 상기 하드마스크의 홀의 측벽에 스페이서를 형성하는 단계, 및 상기 스페이서 및 하드마스크를 식각배리어로 상기 층간절연막을 식각하여 상기 비트라인 사이를 관통하여 상기 반도체 기판을 오픈시키는 스토리지노드콘택홀을 형성하는 단계를 포함한다. 스토리지노드콘택홀, 하드마스크, 숏트, 오픈불량, 식각배리어, 질화막

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