텅스텐 실리사이드층 형성방법

Abstract

반도체 기판 상에 증착된 텅스텐 실리사이드(WSix) 표면에 형성되는 헤이즈(haze)를 제거하는 헤이즈 제거방법에 대해 개시한다. 본 발명의 헤이즈 제거방법은, 반도체 기판 상에 텅스텐 실리사이드층을 형성한 후, 대기 중에 노출을 방지하기 위해 외부와 격리시킨 상태에서 이 텅스텐 실리사이드 표면에 형성된 헤이즈를 NF 3 플라즈마를 이용하여 제거하는 단계를 반도체 제조공정 중에 포함하고 있다. 본 발명에 의하면, 텅스텐 실리사이드층이 대기 중에 노출되지 않도록 동일 챔버에서 공정이 진행되어 공정단순화를 이룰 수 있다. 또한, 헤이즈를 완벽하게 제거함으로써 수율의 증대, 균일도의 향상, 전기적 특성의 향상, 후속 박막증착의 점착성 향상 등을 기대할 수 있다.

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