반도체 소자의 금속배선 형성 방법

Abstract

본 발명은 반도체 소자의 금속배선 형성 방법에 관한 것으로, 콘택홀이 매립되도록 제 1 금속을 증착한 후 상기 제 1 금속층상에 확산 방지막 및 제 2 금속층을 순차적으로 형성하므로써 접합부와 금속배선 또는 금속배선간의 접촉 저항이 효과적으로 감소되어 소자의 전기적 특성이 향상될 수 있는 반도체 소자의 금속배선 형성 방법이 개시된다.

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