Low power semiconductor memory device

저전력 반도체 메모리 장치

Abstract

본 발명은 선택된 메모리 셀 어레이 블록을 구동하는 서브 워드라인 드라이버(sub word line driver)와 비트 라인 감지 증폭기(bit line sense amplifier)만 활성화시켜 전체 칩의 전류 소모를 줄일 수 있는 저전력 반도체 메모리 장치에 관한 것으로, 다수의 메모리 셀을 포함하여 매트릭스 배열된 다수의 메모리 셀 어레이 블록과 메모리 셀에 저장된 데이터를 감지 및 증폭하는 다수의 감지 증폭기를 포함하여 상기 메모리 셀 어레이 블록 상하에 배치된 감지 증폭기 어레이와 다수의 서브 워드라인 드라이버를 포함하여 메모리 셀 어레이 블록의 좌우에 배치된 서브 워드라인 드라이버 어레이와 리드/라이트 명령, 리프레시 신호 및 블록 선택 어드레스를 인가받아 논리 조합하여 리드/라이트 동작시에는 서브 워드라인 드라이버와 감지 증폭기를 선택적으로 활성화시키고, 리프레시 동작시에는 다수의 메모리 셀 어레이 블록을 모두 활성화시키는 블록 선택 활성화 신호를 출력하는 블록 선택 활성화 제어 수단과 블록 선택 활성화 신호에 따라 선택된 메모리 셀 어레이 블록을 구동하는 감지 증폭기를 선택적으로 활성화하는 감지 증폭기 제어 수단을 포함하는 것을 특징으로 한다.

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    KR-100857743-B1September 10, 2008삼성전자주식회사Semiconductor memory device
    KR-100935582-B1January 07, 2010주식회사 하이닉스반도체간소화된 신호 배선을 갖는 반도체 메모리 장치